SJ 50033.35-1994 GH30型半导体高速光耦合器详细规范

ID

95F812DD61004C65A77754B9EE63AF29

文件大小(MB)

0.65

页数:

19

文件格式:

pdf

日期:

2024-7-28

购买:

购买或下载

文本摘录(文本识别可能有误,但文件阅览显示及打印正常,pdf文件可进行文字搜索定位):

SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/35-94,GH30型半导体高速光耦合器,详细规范,Detail specification for type GH30 semiconductor,high speed optocoupler,1994-09-30 发布 1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,GH30型半导体高速光耦合器详细规范,Detail specification for type GH30,semiconducdor high speed optocoupler,SJ 50033/35—94,1范围,1-I主题內容,本規范规定了 GH30型半导体高速光耦合器(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,1.3.1 器件等级,按照GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的普军、特军和超特军三个等,级,分别用字母GP、GT和GCT表示,1.3.2 推荐工作条件,2引用文件,参数符号最小值最大值单 位,hl. 0 250 2A ',/fh 1 15 mA,Veh 2 Vcc V,Rl 0 0,8 V,No 8,Vcc. 4.5 5.5 V,GB 3431. 1—82,GB 3439—82,GB 4728. 12—85,GJB 33—85,GJB 128—86,GJB 548—88,半导体集成电路文字符号电参数文字符号,半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理,电气图用图形符号二进制逻辑単位,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试脸方法,微电子器件试验方法和程序,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-0I 实施,—1 —,sj 50033/35-94,SJ 2215.12—82,SJ 2215.13—82,SJ 2355—83,SJ/Z 9014. 2—87,半导体光耦合器入出间隔离也容的测试方法,半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法,半导体发光器件测试方法,半导体器件分立器件和集成电路第五部分:光电子器件,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按照GJB 33和SJ/Z 9014. 2和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范的规定,如图1,尺寸符号A ムA C e 门L /) Z,数值,最小值0. 51 0. 35 Q.20 3. 5,标称值2-54 7,62,最大值0. 59 d 36 5.0 10.16 1.27,图!外形尺寸,3. 2ハ半导体芯片材料,发光二极管芯片材料为磷种化镁(GaAsP)或磷化镣(Gap)或钱铝伸(GaAlAs),光敏二极管、集成电路芯片材料为硅(5i),3.2.2逻辑符号、功能框图和引出端排列。 ',3. 2. 2-1逻辑符号,逻辑符号应按照GB 4728. 12的规定,3.2- 2.2功能框图,功能框如图2所示.,一2 一,下载,SJ 50033/35-94,图2功能框图,3.2 .2.3引出端排列图,引出端排列如图3所示,图3引出端排列图,3 2.3功能表,输 入,Vf,选 通,へ,输 出,ル",H H L,L H H,H L H,L L H,3.2 "封装形式,8线黑陶蹙双列直插封装,3.3 引线材料和涂层,引线材料应为可伐合金或等效物。引线涂层应为镀金、镀锡或浸锡。如果要求选择引统徐,层,应在合同中规定(见6.2),3.4 最大额定值和主要光电特性,3.41最大额定值(除非另有规定,7;址=250,3- 4-1-1发光二极管最大额定值,一3 一,sj 50033/35-94,% h 『FM」',(V) (mA) (mA),5 15 40,注:D占空系数50%,脉神宽度[m,,3^ 4.1.2集成电路最大额定值,Io,(mA),匕,(V) CV),%H,(V),户口,(mW),30 . 7 7 ヌ5 85,注:1)最长!min.,3-4-1.3光耦合器最大额定值,冗Mb T网%广,(C) (C) (V),一 40.85 一ー55.125 1000,注:1)相对湿度为40%.60%,交流,3- 4-2主要光电特性,3.4- 2-I 静态特性(T"=25C),3.4.2.1.1 发光二极管(输入)特性,参数符号条 件,数 值,单 位,最小值最大值,厶ドr = 5V 10 煩,Vf JF — 10mA 2. 2 V,3.4-2-1-2集成电路(输出)特性,参数符号条 件,数 值,单 位,最小值最大值,/0 (OFF) 炉cc = 5. SV Vo = 5- 5V,IP = 250^A W = 2, 0V,250 juA,Vol F(t = 5.5V Jf』7mA,VE —2. 0V Zol~ 13mA,8 6 V,I Eli. Vcc - 5* 5V Ve — 2* OV G. 5 mA,Fcc = 5i5V Ve - 5V 1.6 mA,7cch,炉“工 5,5 V 1f = 0,屋ユ0.5V,15 mA,Zgcl,匕 む = 5.5V 7F = 10mA,Ve = 2. OV,18 mA,—4 , 1-,www. bzfxw. coni下载,SJ 50033/35-94,3.4 -2-1-3光耦合器(传输)特性,参数符号条 件,数 值,单位,最小值最大值,& 匕o=500V IO10 n,Cl0 f= 1 MHz 1 pF,CTR T=7mA Vcc = 5 V,R = 150G Ve = 2V……

……